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参数目录40444
> NTHD4508NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
型号:
NTHD4508NT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
NTHD4508NT1G PDF
产品目录绘图
MOSFET ChipFET
标准包装
10
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 10V
功率 - 最大
1.13W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
NTHD4508NT1GOSCT
查看NTHD4508NT1G代理商
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